制造工艺
制造工艺流程
产品信息
我公司拥有从单晶生长到镜面加工的一体化生产线。在直拉法 （CZ）长晶工序中，进行单晶的生长、切割以及圆筒加工。在 刻蚀片（CW） 工序中，将经过圆筒加工的单晶锭切割成晶圆片，并通过研磨和化学处理来提高表面的平坦度。在抛光片（PW） 工序中，经过三阶段的研磨工艺，使晶圆表面达到镜面效果。特殊加工方面，则可根据客户的需求，进行背面损伤处理等工艺。
特殊加工
可根据客户的要求，对晶圆实施背面损伤处理、氧化膜处理、激光标记处理等多种工艺。
检测
为确保所供产品的品质，我们将实施严格的检测。
硅单晶
单晶生长
我们进行单晶的生长、切割和圆筒加工。
本公司采用 CZ 法（直拉法）进行单晶生长。将高纯度多晶硅与用于调节电阻率的掺杂剂投入石英坩埚中，在约 1420℃ 下熔融。
随后，将硅种晶棒接触熔融硅液的液面，在旋转的同时向上拉引，从而生成与种晶相同晶向的单晶硅锭。
切割与圆筒加工
将单晶硅锭切割成块，并通过研磨外圆表面去除应力变形，使其达到规定直径。同时，为了明确晶体取向，还会进行定位平面（Orientation Flat）加工或缺口（Notch）加工。其他加工工序也可根据客户需求进行。
原材料检验
从单晶硅锭中切割出样品晶圆，对其缺陷有无及电阻率等进行检测。
刻蚀片
刻蚀片加工
将经过圆筒加工的单晶硅锭在切片工序中加工成晶圆。在倒角工序中对外周进行加工；在研磨工序中对表层进行粗研磨；在蚀刻工序中去除加工应变；在退火工序中则进行氧施主消除（Donor Killer）处理。
切片
将经过圆筒加工的硅锭，使用内圆切割机或线锯切割机切片成晶圆。
倒角
切片后的晶圆外周存在锐角，为了防止后续工序中的崩边（Chipping），以及避免镜面加工后的颗粒产生，对外周进行倒角处理，同时将晶圆加工至最终直径。
粗磨工序
通过将晶圆夹持在高平坦度的研磨定盘之间施加压力进行研磨，消除晶圆表面的微小凹凸和厚度不均，从而使晶圆厚度均匀。
刻蚀
由于切片、倒角、研磨等各工序均为机械加工，晶圆表层残留了大量加工应变。为去除这些应变，需要进行化学药品的蚀刻处理。
退火
单晶在生长过程中会生成氧施主。
为使这些施主失活，将晶圆置入高温炉中进行施主消除处理，从而恢复其电阻率。
刻蚀片检测
通过目视及检测设备进行检验。
通过目视检验对晶圆表面缺陷进行检查，并借助检测设备对平坦度、电阻率、导电类型等项目进行测试，从而在出货前实现最终的质量保证。
抛光片
载板（Plate）贴合
为了对蚀刻后的晶圆进行镜面研磨，将晶圆的一面贴合并固定在陶瓷板上。
镜面研磨
通过化学机械作用，将晶圆加工成高平坦、无杂质的高质量镜面。
抛光片检测
通过清洗去除颗粒，并进行目视及设备等检验。
通过目视检查晶圆表面缺陷，并利用检测设备对平坦度、电阻率、颗粒、导电类型等进行检测，从而在出货前实现最终的质量保证。
