半导体用材料
硅晶圆
产品信息
我司作为半导体用材料供应商，从事硅单晶及晶圆的制造与销售。我们专注于4至6英寸的小口径产品，依托从单晶生长到镜面晶圆加工的全流程一体化生产线开展制造。同时，作为原材料的硅单晶也在公司内部自制，因此能够根据客户的需求，提供匹配其特性要求的产品。
1.硅单晶
产品规格
- 单晶生长方法：CZ法（直拉法）、(FZ法 浮区法)
- 口径：4、5、6、(8) 英寸
- 掺杂元素：硼 (B)、磷 (P)、锑 (Sb)、(砷 As)
- 晶向：<100>, <111>, <110>
- 电阻率：轻掺杂 0.1 ~ 40.0 Ω·cm / 重掺杂 0.001 ~ 0.1 Ω·cm
- 氧浓度：10 ~ 18×1017 atoms/cm3 （依据 ASTM FM121-79 标准）
- 碳浓度：≤5×1016 atoms/cm3
- 氧化诱生层错 (OSF（Oxidation-Induced Stacking Faults）)：≤50 个/cm2
2.各种晶圆
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抛光片（PW）
经镜面抛光加工后，晶圆表面具备极低粗糙度、高平坦度及高洁净度。
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蚀刻片（CW）
去除加工变形层并使表面平滑的晶圆。
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研磨片（LW）
将切割过程中产生的加工变形层削薄，并提高平坦度的晶圆。
产品规格可按客户需求提供定制服务，敬请垂询。
3.可选规格
我们还可根据客户需求，对晶圆进行背面损伤处理、氧化膜处理、激光刻印处理等加工。
