半導体用材料
シリコンウェーハ
製品情報
弊社では半導体用材料としてシリコン単結晶、ウェーハの製造・販売を行っています。4~6inchの小口径に特化し、単結晶育成から鏡面ウェーハ加工まで一貫した生産ラインにて製品を製造しています。素材となる単結晶も自社内で製造していますので、お客さまのご要望にマッチした特性の製品をご提供させていただきます。
1.単結晶
製品仕様
- 単結晶育成法：CZ法、(FZ法)
- 口径：4、5、6、(8) inch
- ドーパント：B、P、Sb、(As)
- 結晶軸：<100>, <111>, <110>
- 抵抗率：ライトドープ 0.1 ~ 40.0 Ωcm/ヘビードープ 0.001 ~ 0.1 Ωcm
- 酸素濃度：10 ~ 18×1017 atoms/cm3 (ASTM FM121-79)
- 炭素濃度：≤5×1016 atoms/cm3
- OSF：≤50 pcs/cm2
2.各種ウェーハ
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ポリッシュドウェーハ(PW)
鏡面加工により、表面粗さの小さい、高平坦度、高清浄度に仕上げたウェーハ
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エッチドウェーハ(CW)
加工歪層を除去し、表面を滑らかにしたウェーハ
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ラップドウェーハ(LW)
切断で発生した加工歪層を薄くし、平坦度を高めたウェーハ
製品仕様に関しましてはオーダーメイドにて承りますので、お気軽にお問い合わせください。
3.オプション仕様
ご要望に応じてウェーハに裏面ダメージ処理、酸化膜処理、レーザーマーク処理等の加工も行っています。
